开关选用技巧指南–选用时间

 

由于低压进线开关和其他配电回路开关紧靠配电变压器，故对开关的电气参数要求很高。首要，在保护范围内发生对称及不对称短路时，对预期短路电流，进线开关及配电回路开关应能可靠的分断。也就是要求各类断路器的短路分断能力不小于线路预期最大短路电流，确保供电回路的安全运行。其次，进线主开关和配电回路开关在分断短路电流时，应能有选择性的动作，即某配电支路发生短路时，进线断路器应有0.1～0.4s的延时后才动作，而配电支路的塑壳断路器是瞬动的，从而确保非故障回路的正常供电。

 

一般来说，低压断路器具有多层次，多品种的特点。所谓多层次就是指同类产品有高、中、低的区别，以满足不同行业的需要；多品种是为满足不同使用环境，不同使用条件的需要。从目前各行各业应用和发展的情况看，对框架式断路器并不需要所有的产品都追求高性能，而是根据实际的条件，选择不同性能的产品。据有关资料介绍，在相当长的时间内，我国的框架式断路器将同时存在一般型、较高型、高性能型三个档次的产品。

 

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开关选用技巧指南–选用原因

 

造成开关损耗的主要原因在于：一是，硬开关。现今，大多数非隔离降压稳压器拓扑的开关损耗都很大。原因是在导通和关断期间，MOSFET同时承受高电流和高电压应力。当开关频率与输入电压增高时，这些损耗同时增大，限制了其可以达到的最高工作频率、效率和功率密度。二是，栅极驱动损耗。由于栅极驱动电路内的米勒电荷的功耗较高，导至硬开关拓扑结构的栅极驱动损耗也较高。三是，本体二极管传导。当高电平端MOSFET导通和关闭时，高脉动电流通过低电平端MOSFET的本体二极管。本体二极管导通的时间越长，反向恢复损耗和本体二极管传导损耗便愈高。本体二极管传导也会造成破坏性的过冲和振铃。开关损耗还限制了稳压器的开关频率，开关频率越高，MOSFET开关时间就越长，损耗就越大。如果开关不能在高频率切换，将限制更小型无源组件(电阻、电容和电感)的使用，从而使稳压器密度受到影响。众多电子设计师希望在负载点使用零电压开关(ZVS)。