性能提高5 倍,西数最新 QLC 颗粒写入速度达 60MB s
西数称,他们的下一代的 BiCS6 为 162 层 3D NAND,而西数刚发布的旗舰固态 SN850X 使用的则是 2020 年生产的 BiCS5 112 层 3D NAND 。 BiCS6 将带来更快的 I / O 接口和更快的颗粒带宽,而且其 QLC 版本拥有比 TLC 版本更小的芯片面积和更高的存储密度,而
西数称,他们的下一代的 BiCS6 为 162 层 3D NAND,而西数刚发布的旗舰固态 SN850X 使用的则是 2020 年生产的 BiCS5 112 层 3D NAND 。 BiCS6 将带来更快的 I / O 接口和更快的颗粒带宽,而且其 QLC 版本拥有比 TLC 版本更小的芯片面积和更高的存储密度,而