绕开EUV光刻 国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术
EUV光刻机是研制先进芯片的一条路径，但并非唯一解。对于国内厂商来说，当前在3D NAND闪存的发展上，就因为不需要EUV机器，从而找到了技术追赶的机会。 而在DRAM内存芯片领域，尽管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可来自浙江海宁的芯盟则开辟出绕过
机构 国产DRAM内存芯片和三星的技术相距是5年
数字经济时代，芯片扮演着重要角色。得益于人才聚集、产业升级、政策扶持等，我国的半导体产业正在蓬勃发展，并不断拉近与先进地区、企业的差距。 具体来说，三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级（1b或者说12nm）内存芯片，国产DRAM代表企业合肥长鑫
华为与中科院共研 新3D DRAM芯片有望冲破存储关键根技术
近日，有日本媒体表示，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术，进行各种有关内存的演示。 据外媒透露，华为这次发布的3D DRAM 技术，是基于铟镓锌氧 IGZO-FET材料的 CAA 构型晶体管 3D DRAM 技术，具有出色的
三星瞄准Sony，将用DRAM厂生产CIS
DIGITIMES消息,据韩国经济引述业界消息,受5G手机、自驾车、机器人等市场快速发展影响,CIS需求跟着激增,三星传决定2021年增加CIS产量。 消息表示,三星电子将于2021年将一座DRAM厂转换成用以生产CMOS图像传感器(CIS),预计届时CIS产量将较目前提升约20%,威胁龙
开始涨价！2021年DRAM内存将全面爆发
这一轮周期会持续多久? 内存大厂美光副总裁Sumit Sadana表示：美光对2021年存储前景持乐观看法，尤其是DRAM市场，部分产品已涨价，预期DRAM供不应求的状况会持续几年，其中汽车应用是未来十年成长最快的市
SK海力士Q1净利涨53%，会增加10nm级产品
三、1Anm DRAM或于今年量产 SK海力士预计，由于市场需求持续增长，客户库存会迅速减少，DRAM颗粒的销量在未来可能会继续增加，NAND闪存的市场需求也有可能获得增长。 为此，SK海力士决定将增加10纳米级第三代（1Znm）产品产量，还将在今年内使用EUV技术开发1