绕开EUV光刻 国内厂商开发出DRAM内存芯片新技术
EUV光刻机是研制先进芯片的一条路径，但并非唯一解。对于国内厂商来说，当前在3D NAND闪存的发展上，就因为不需要EUV机器，从而找到了技术追赶的机会。 而在DRAM内存芯片领域，尽管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可来自浙江海宁的芯盟则开辟出绕过
4nm EUV功耗降低40% Intel 14代酷睿有望打败苹果M2
在12代、13代酷睿连续使用Intel 7工艺之后，Intel今年下半年还会量产Intel 4工艺，这还是Intel首个EUV工艺，等效台积电4nm EUV的这代工艺不仅性能大幅提升21.5%，同时功耗还可以降低40%，有望让x86在能效上击败苹果M2。 Intel前不久在VLSI大会上介绍了Intel
4nm EUV 功耗降低40% Intel 14代酷睿有望打败苹果M2
在12代、13代酷睿连续使用Intel 7工艺之后，Intel今年下半年还会量产Intel 4工艺，这还是Intel首个EUV工艺，等效台积电4nm EUV的这代工艺不仅性能大幅提升21.5%，同时功耗还可以降低40%，有望让x86在能效上击败苹果M2。 Intel前不久在VLSI大会上介绍了Intel
ASML 分享 High-NA EUV 光刻机最新进程
半导体行业花了十多年的时间来准备极紫外线 (EUV) 光刻技术，而新的高数值孔径 EUV 光刻（High-NA EUV）技术将会比这更快。 目前来看，这种分辨率尺寸对于 7 nm / 6 nm 节点 (36 nm ~ 38 nm) 和 5nm (30 nm ~ 32 nm) 的单模已经足够用了，但随着间距低于 30
14代酷睿首发Intel 4nm EUV工艺 对阵Zen4自信满满
按照Intel的路线图，从2021年算起，他们要在2025年之前的4年里掌握5代CPU工艺，现在的是Intel 7，今年要量产的还有Intel 4，这还是Intel首个EUV工艺。 根据官方的信息，相比目前的Intel 7工艺，Intel 4工艺每瓦性能提升20%，如果是对比之前的初代10nm工艺，
首发 4nm EUV工艺！Intel 14代酷睿真身泄露 GPU堪比独显
Intel的12代酷睿处理器去年就已经发布，首次上了性能+能效的异构设计，今年的13代酷睿代号Raptor Lake，下半年发布，属于12代的改进版，明年的14代酷睿Meteor Lake则会大改，升级Intel 4工艺，也是Intel首个EUV工艺。 14代酷睿的架构也会大改，第一次采用非
初次使用EUV工艺 Intel 4nm 酷睿点亮
根据Intel的计划，在2025年前的4年时间里他们要连续推出5代CPU工艺，2022年下半年量产的就是Intel 4工艺这个对标台积电、三星4nm的工艺是Intel首次使用EUV工艺，明年的14代酷睿Meteor Lake处理器将首发。 现在Intel CCG客户端计算事业部执行副总裁兼总经理Mi
紫光展锐：EUV 6nm 5G芯片手机下一年量产
据国内媒体报道，近日，紫光展锐执行副总裁周晨接受采访时表示， T7520很快会达到CS（商业样品）的状态。他表示，紫光展锐在这个产品上投入很多资源。 这个产品是我们整个5G，特别是面向消费类产品很重要的根。我们基于T7520后续规划的是系列化的5G SoC产品
转折点！IBM宣布造出全球首颗2nm EUV芯片
5月6日消息， IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。在 核心指标方面，IBM称该2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百万颗晶体管）为333.33，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要高。 换言之，在150平方毫