ASML 分享 High-NA EUV 光刻机最新进程
半导体行业花了十多年的时间来准备极紫外线 (EUV) 光刻技术，而新的高数值孔径 EUV 光刻（High-NA EUV）技术将会比这更快。 目前来看，这种分辨率尺寸对于 7 nm / 6 nm 节点 (36 nm ~ 38 nm) 和 5nm (30 nm ~ 32 nm) 的单模已经足够用了，但随着间距低于 30
半导体行业花了十多年的时间来准备极紫外线 (EUV) 光刻技术，而新的高数值孔径 EUV 光刻（High-NA EUV）技术将会比这更快。 目前来看，这种分辨率尺寸对于 7 nm / 6 nm 节点 (36 nm ~ 38 nm) 和 5nm (30 nm ~ 32 nm) 的单模已经足够用了，但随着间距低于 30