芯东西4月26日消息，今天，中国内存模组厂商嘉合劲威宣布首批DDR5内存条在深圳坪山工厂量产下线。首批DDR5内存条采用美光DRAM颗粒，频率为4800MHz、电压1.1V、时序为CL40-40-40、容量为16GB（单面）或32GB（双面）。

根据外媒爆料，今年晚些时候，英特尔和AMD会分别推出英特尔12代酷睿（Alder Lake）和AMD锐龙7000（Raphael）处理器，将搭载这些最新的DDR5内存。

一、首批DDR5内存采用美光DRAM颗粒

中国内存模组厂商嘉合劲威宣布，其位于深圳坪山工厂的装配线已收到第一批DDR5内存模块，现已开始批量生产。

根据嘉合劲威的官网信息，首批DDR5内存条采用美光的DRAM颗粒，频率为4800MHz、电压1.1V、时序为CL40-40-40、容量为16G（单面）或32G（双面）。相对于DDR4，DDR5的功耗更低，稳定性、安全性更高，容量、频率的上限将实现数倍提升。

除了DRAM颗粒以外，DDR5最突出的特点是模块（U-DIMM）具有板载PMIC（电源管理IC）。与DDR4相比，PMIC将直接从母板上获取DC（5V）电源，并将其更有效地传送到DRAM颗粒上。

此外，负责电压转换的组件也移到了内存DIMM模块上，减少了电压磨损和噪声，也为超频提供了更大的空间。相比DDR4，DDR5内存还内置有On-die-ECC（纠错码），使内存具备更高的稳定性。

目前已有多家中国厂商获得了第一批DDR5 DRAM颗粒，2月份嘉合劲威旗下内存品牌阿斯加特率先推出了首款使用美光DDR5颗粒的内存。

3月份，存储厂商深圳江波龙展示了DDR5基于英特尔12代酷睿处理器开发板上的内存测试成绩，包括鲁大师测试以及AIDA64的内存测试。

根据鲁大师的测试数据，DDR5-4800MHz总分为557901分，在内存单项测试中得分超过190000分，DDR4内存仅获得91757分。这意味着在目前的工程状态下，DDR5相较DDR4性能提升了110%。

在AIDA64基准测试中DDR5比DDR4的读取性能提高了28％，写入性能提高了27％，复制测试性能提高了10％。不过由于DDR5的时序更高，所以DDR5的内存延迟也比较高，为112.1ns，DDR4的延迟在75ns左右。