2nm芯片真的来了？

IBM宣布推出全球首个2nm芯片制造技术引起了大家的注意。与7nm的技术相比，预计将带来45%的性能提升或75%的能耗降低，而比起当前最尖端的5nm芯片，2nm芯片的体积更小、速度更快。

从IBM的表述意味着：

• 手机的电池寿命延长三倍，用户只充电一次可以用四天；

• 为碳中和做出贡献；

• 互联网体验更好；

• 赋能自动驾驶，缩短响应时间… …

IBM的2nm芯片制程可不好生产

台积电的5nm芯片每平方毫米约有1.73亿个晶体管，三星的5nm芯片每平方毫米约有1.27亿个晶体管。这样对比来看，IBM 2nm晶体管密度达到了台积电5nm的2倍。

而Intel的7nm晶体管密度超越了台积电5nm，也超过了三星的7nm，因此有业内人士表示IBM 2nm芯片在规格上强于台积电的3nm。

IBM的三层GAA纳米片，每片纳米片宽40nm，高5nm，间距44nm，栅极长度12nm。

IBM表示，该芯片首次使用底部电介质隔离，实现12nm的栅极长度，可以减少电流泄漏，有助于减少芯片上的功耗。

该芯片另一个新技术就是IBM提出的内部空间干燥工艺，这有助于实现纳米片的开发。

并且该芯片广泛地使用EUV技术，例如在芯片过程的前端进行EUV图案化，不仅是在中间和后端。

而这样的技术最终可以让制造2nm芯片所需的步骤比7nm少得多，能促进整个晶圆厂的发展，也可能降低部分成品晶圆的成本。

最后，2nm晶体管的阈值电压（上表中的Vt）可以根据需要增大和减小，例如，用于手持设备的电压较低，而用于百亿超级计算机的CPU的电压较高。

IBM并未透露这种2nm技术是否会采用硅锗通道，但是显然有可能。